ယေဘူယျအားဖြင့်

ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ တီထွင်ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အသုံးပြုခြင်းတွင် အနည်းငယ်သော ချို့ယွင်းမှုအနည်းငယ်ကို ရှောင်ရှားရန် ခက်ခဲသည်။ထုတ်ကုန်အရည်အသွေး လိုအပ်ချက်များ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ရှုံးနိမ့်မှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုသည် ပို၍ အရေးကြီးလာသည်။တိကျသောချို့ယွင်းမှု ချစ်ပ်များကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့်၊ ၎င်းသည် စက်ဒီဇိုင်း၏ ချို့ယွင်းချက်များ၊ လုပ်ငန်းစဉ်ဘောင်များ မကိုက်ညီမှု၊ အရံဆားကစ်၏ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်မှုမရှိသော ဒီဇိုင်း သို့မဟုတ် ပြဿနာကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော စက်လည်ပတ်မှု လွဲမှားခြင်းကို ဆားကစ်ဒီဇိုင်နာများကို ရှာဖွေရာတွင် ကူညီပေးနိုင်ပါသည်။ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ ချို့ယွင်းမှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ လိုအပ်ချက်ကို အောက်ပါ ရှုထောင့်များတွင် အဓိက ထင်ရှားစေပါသည်။

(1) Failure analysis သည် device chip ၏ ကျရှုံးမှု ယန္တရားကို ဆုံးဖြတ်ရန် လိုအပ်သော နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

(၂) ချို့ယွင်းချက် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းသည် ထိရောက်သော ချို့ယွင်းချက်ရှာဖွေခြင်းအတွက် လိုအပ်သော အခြေခံနှင့် အချက်အလက်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

(၃) မအောင်မြင်သော ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းသည် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းကို စဉ်ဆက်မပြတ် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် သို့မဟုတ် ပြုပြင်ရန်နှင့် ဒီဇိုင်းသတ်မှတ်ချက်နှင့်အညီ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်မှုရှိစေရန် ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများအတွက် လိုအပ်သော တုံ့ပြန်ချက်အချက်အလက်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

(၄) မအောင်မြင်သော ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုသည် ထုတ်လုပ်မှုစမ်းသပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော ဖြည့်စွက်အားဖြည့်ပေးနိုင်ပြီး စိစစ်စမ်းသပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန်အတွက် လိုအပ်သော အချက်အလက်အခြေခံကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။

semiconductor diodes၊ audions သို့မဟုတ် integrated circuits များ၏ ကျရှုံးမှုကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းအတွက်၊ လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ဘောင်များကို ဦးစွာ စမ်းသပ်သင့်ပြီး optical microscope အောက်တွင် အသွင်အပြင်ကို စစ်ဆေးပြီးနောက်၊ ထုပ်ပိုးမှုကို ဖယ်ရှားသင့်ပါသည်။Chip လုပ်ဆောင်ချက်၏ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင်၊ အတွင်းပိုင်းနှင့် ပြင်ပသို့ ဦးတည်ချက်များ၊ ချိတ်ဆက်မှုအမှတ်များနှင့် ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်ကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ နောက်တစ်ဆင့်အတွက် ပြင်ဆင်ရန်အတွက် ဖြစ်နိုင်သမျှဝေးဝေးထားရှိသင့်သည်။

ဤခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုပြုလုပ်ရန်အတွက် စကင်န်ဖတ်ထားသော အီလက်ထရွန်အဏုစကုပ်နှင့် စွမ်းအင်ရောင်စဉ်ကို အသုံးပြုခြင်း- အဏုကြည့်ရုပ်ပုံသဏ္ဌာန်ကို လေ့လာခြင်း၊ ပျက်ကွက်အမှတ်ရှာဖွေခြင်း၊ ချို့ယွင်းချက်အမှတ်ကို လေ့လာခြင်းနှင့် တည်နေရာ၊ ကိရိယာ၏ အဏုစကော့ပရီဩမေတြီအရွယ်အစားကို တိကျစွာတိုင်းတာခြင်းနှင့် ကြမ်းတမ်းသောမျက်နှာပြင်အလားအလာဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဂိတ်များ၏ ယုတ္တိဗေဒဆိုင်ရာ စီရင်ဆုံးဖြတ်ခြင်းအပါအဝင် ဆားကစ် (ဗို့အားဆန့်ကျင်ဘက်ပုံရိပ်နည်းလမ်းနှင့်အတူ);ဤခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုပြုလုပ်ရန် စွမ်းအင် spectrometer သို့မဟုတ် spectrometer ကိုသုံးပါ- အဏုကြည့်မှန်ဒြပ်စင်ဖွဲ့စည်းမှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၊ ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ သို့မဟုတ် ညစ်ညမ်းမှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု။

01. ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင် ချို့ယွင်းချက်များနှင့် မီးလောင်ဒဏ်ရာများ

မျက်နှာပြင် ချို့ယွင်းချက်များနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ မီးလောင်ပျက်စီးမှုသည် ပုံ 1 တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း၊ ၎င်းသည် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း၏ သန့်စင်ထားသော အလွှာ၏ ချို့ယွင်းချက်ဖြစ်သည့် ပုံ 1 တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း ဖြစ်လေ့ရှိသော ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များဖြစ်သည်။