စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်၏ ကုန်ကျစရိတ်သည် အဓိကအားဖြင့် ဘက်ထရီနှင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု အင်ဗာတာများဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ၎င်းတို့ နှစ်ခု၏ စုစုပေါင်းသည် လျှပ်စစ်ဓာတုစွမ်းအင် သိုလှောင်မှုစနစ် ကုန်ကျစရိတ်၏ 80% ဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု အင်ဗာတာသည် 20% ဖြစ်သည်။ IGBT insulating grid bipolar crystal သည် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု အင်ဗာတာ၏ အထက်ပိုင်းကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ IGBT ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် အင်ဗာတာ၏ တန်ဖိုး၏ 20% မှ 30% အတွက် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆုံးဖြတ်သည်။
စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနယ်ပယ်တွင် IGBT ၏ အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှာ ထရန်စဖော်မာ၊ ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း၊ နှောင့်ယှက်ပြောင်းလဲခြင်းစသည်ဖြင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။
ပုံ- IGBT မော်ဂျူး
စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု ကိန်းရှင်များ၏ အထက်ပိုင်းကုန်ကြမ်းများတွင် IGBT၊ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ခံနိုင်ရည်၊ လျှပ်စစ်ခံနိုင်ရည်၊ PCB စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့တွင် IGBT သည် တင်သွင်းမှုအပေါ်တွင် အဓိကမူတည်နေဆဲဖြစ်သည်။ နည်းပညာအဆင့်နှင့် ကမ္ဘာ့ထိပ်တန်းအဆင့်တွင် ပြည်တွင်း IGBT အကြား ကွာဟချက်ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။ သို့သော်လည်း တရုတ်နိုင်ငံ၏ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုလုပ်ငန်း အရှိန်အဟုန်ဖြင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ IGBT ၏ ပြည်တွင်းဖြစ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည်လည်း အရှိန်အဟုန်မြှင့်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
IGBT စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုလျှောက်လွှာတန်ဖိုး
photovoltaic နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု IGBT ၏တန်ဖိုးသည် အတော်လေးမြင့်မားသည်။ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုတွင် IGBT နှင့် SIC ချိတ်ဆက်မှုနှစ်ခုပါဝင်သည်- DCDC နှင့် DCAC ၊ အမည်ရ optical storage integrated နှင့် သီးခြားစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ် ၊ solution နှစ်ခုအပါအဝင်၊ လွတ်လပ်သောစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်တွင်ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ၏ပမာဏသည် photovoltaic ထက် 1.5 ဆခန့်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ optical storage သည် 60-70% ကျော်ရှိပြီး သီးခြားစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်သည် 30% ဖြစ်သည်။
ပုံ- BYD IGBT မော်ဂျူး
IGBT တွင် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု အင်ဗာတာတွင် MOSFET ထက် ပိုမိုအားသာချက်ရှိသော အသုံးချအလွှာများစွာရှိသည်။ လက်တွေ့ပရောဂျက်များတွင် IGBT သည် photovoltaic အင်ဗာတာများနှင့် လေစွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ အဓိကကိရိယာအဖြစ် MOSFET ကို တဖြည်းဖြည်းအစားထိုးခဲ့သည်။ စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်သည့်စက်မှုလုပ်ငန်းအသစ်၏ လျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် IGBT လုပ်ငန်းအတွက် မောင်းနှင်အားအသစ်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။
IGBT သည် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ထုတ်လွှင့်ခြင်းအတွက် အဓိကကိရိယာဖြစ်သည်။
IGBT ကို valve control ဖြင့် စီးဆင်းနေသော electronic two-way (multi-directional) ကို ထိန်းချုပ်သည့် transistor အဖြစ် အပြည့်အဝ နားလည်နိုင်သည်။
IGBT သည် BJT bipolar triode နှင့် insulating grid field effect tube တို့ ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ပေါင်းစပ်-ထိန်းချုပ်မှု အပြည့်ဗို့အား-driven ပါဝါ semiconductor ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဖိအားကျဆင်းခြင်း၏ ရှုထောင့်နှစ်ခု၏ အားသာချက်များ။
ပုံ- IGBT module တည်ဆောက်ပုံ schematic diagram
IGBT ၏ switch function သည် IGBT ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် PNP transistor သို့ base current ကိုထောက်ပံ့ပေးရန်အတွက် gate voltage သို့ positive ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်ဖြစ်သည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့်၊ ချန်နယ်ကိုဖယ်ရှားရန်၊ ပြောင်းပြန်အခြေခံလျှပ်စီးကြောင်းမှတဆင့်စီးဆင်းရန်နှင့် IGBT ကိုပိတ်ရန် inverse door voltage ကိုထည့်ပါ။ IGBT ၏ မောင်းနှင်မှုနည်းလမ်းသည် အခြေခံအားဖြင့် MOSFET နှင့် တူညီသည်။ ၎င်းသည် input pole N one -channel MOSFET ကိုထိန်းချုပ်ရန်သာလိုအပ်သည်၊ ထို့ကြောင့်၎င်းတွင်မြင့်မားသော input impedance လက္ခဏာများရှိသည်။
IGBT သည် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ထုတ်လွှင့်ခြင်း၏ အဓိကကိရိယာဖြစ်သည်။ ၎င်းကို လျှပ်စစ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏ "CPU" ဟုခေါ်သည်။ အမျိုးသားအဆင့် မဟာဗျူဟာမြောက် ထွန်းသစ်စစက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုအနေဖြင့် ၎င်းကို စွမ်းအင်စက်ပစ္စည်းအသစ်များနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။
IGBT တွင် မြင့်မားသော input impedance၊ ထိန်းချုပ်မှုပါဝါနည်းသော၊ ရိုးရှင်းသောမောင်းနှင်မှုပတ်လမ်း၊ အမြန်ပြောင်းသည့်အမြန်နှုန်း၊ ကြီးမားသော-state လက်ရှိ၊ လျော့ချသော diversion pressure နှင့် အသေးစားဆုံးရှုံးမှုများအပါအဝင် အားသာချက်များစွာရှိသည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းသည် လက်ရှိဈေးကွက်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် လုံးဝအားသာချက်များရှိသည်။
ထို့ကြောင့် IGBT သည် လက်ရှိ power semiconductor စျေးကွက်၏ အဓိက ရေစီးကြောင်း ဖြစ်လာခဲ့သည်။ စွမ်းအင်အသစ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ လျှပ်စစ်ကားများနှင့် အားသွင်းပုံများ၊ လျှပ်စစ်သင်္ဘောများ၊ DC ထုတ်လွှင့်မှု၊ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု၊ စက်မှုလျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှုနှင့် စွမ်းအင်ချွေတာခြင်းစသည့် နယ်ပယ်များစွာတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။
ပုံ-အင်ဖီယွန်IGBT သင်ခန်းစာ
IGBT အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။
ကွဲပြားခြားနားသောထုတ်ကုန်ဖွဲ့စည်းပုံအရ IGBT တွင် single -pipe၊ IGBT module နှင့် smart power module IPM အမျိုးအစားသုံးမျိုးရှိသည်။
(အားသွင်းပုံများ) နှင့် အခြားနယ်ပယ်များ (အများအားဖြင့် ထိုကဲ့သို့သော မော်ဂျူလာပစ္စည်းများကို လက်ရှိဈေးကွက်တွင် ရောင်းချနေသည်)။ Intelligent power module IPM ကို အင်ဗာတာ လေအေးပေးစက်များနှင့် ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း အဝတ်လျှော်စက်များကဲ့သို့သော အဖြူရောင် အိမ်သုံးပစ္စည်းများ နယ်ပယ်တွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးများသည်။
အပလီကေးရှင်းအခြေအနေ၏ဗို့အားပေါ်မူတည်၍ IGBT တွင် အလွန်နိမ့်သောဗို့အား၊ ဗို့အားနိမ့်၊ အလယ်အလတ်ဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောဗို့အားကဲ့သို့သော အမျိုးအစားများရှိသည်။
၎င်းတို့အနက်၊ စွမ်းအင်သုံးကားအသစ်များ၊ စက်မှုထိန်းချုပ်မှုနှင့် အိမ်သုံးပစ္စည်းများအသုံးပြုသည့် IGBT သည် အဓိကအားဖြင့် အလယ်အလတ်ဗို့အားဖြစ်ပြီး မီးရထားသယ်ယူပို့ဆောင်ရေး၊ စွမ်းအင်အသစ်နှင့် စမတ်ဂရစ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် ဗို့အားမြင့် IGBT ကိုအသုံးပြုသည့် ဗို့အားမြင့်လိုအပ်ချက်များရှိသည်။
IGBT သည် အများအားဖြင့် modules ပုံစံဖြင့်ပေါ်လာသည်။ IHS ဒေတာသည် မော်ဂျူးများနှင့် ပြွန်တစ်ခုစီ၏ အချိုးအစားသည် 3:1 ဖြစ်သည်။ မော်ဂျူးသည် IGBT ချစ်ပ်နှင့် FWD (အဆက်မပြတ် diode ချစ်ပ်) မှ ပြုလုပ်ထားသော မော်ဂျူလာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်ပြီး စိတ်ကြိုက်ပတ်လမ်းတံတားမှတစ်ဆင့်၊ ပလပ်စတစ်ဘောင်များ၊ အလွှာများနှင့် အလွှာများမှတစ်ဆင့် FWD (ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေသော diode ချစ်ပ်) စသည်တို့
Mစျေးကွက်အခြေအနေ
တရုတ်ကုမ္ပဏီများသည် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် ကြီးထွားလာနေပြီး ၎င်းတို့သည် လက်ရှိတွင် သွင်းကုန်များအပေါ် မှီခိုနေရသည်။
2022 ခုနှစ်တွင် ကျွန်ုပ်၏နိုင်ငံ၏ IGBT လုပ်ငန်းသည် ထုတ်လုပ်မှု 41 သန်းရှိပြီး ဝယ်လိုအား 156 သန်းနှင့် ဖူလုံမှုနှုန်း 26.3% ရှိခဲ့သည်။ လက်ရှိတွင် ပြည်တွင်း IGBT စျေးကွက်ကို Yingfei Ling၊ Mitsubishi Motor နှင့် Fuji Electric ကဲ့သို့သော ပြည်ပထုတ်လုပ်သူများမှ အဓိက သိမ်းပိုက်ထားပြီး အချိုးအစား အများဆုံးမှာ Yingfei Ling ဖြစ်ပြီး 15.9% ဖြစ်သည်။
IGBT module စျေးကွက် CR3 သည် 56.91% သို့ရောက်ရှိပြီး ပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူ Star Director နှင့် CRRC ၏ 5.01% ခေတ်တွင် စုစုပေါင်းရှယ်ယာသည် 5.01% ဖြစ်သည်။ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ IGBT ခွဲခြမ်းစက်၏ ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူ သုံးဦး၏ စျေးကွက်ဝေစုသည် 53.24% အထိ ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူများသည် စျေးကွက်ဝေစု 3.5% ဖြင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ IGBT စက်ပစ္စည်း၏ ထိပ်တန်းဈေးကွက်ဆယ်ခုသို့ ဝင်ရောက်ခဲ့သည်။
IGBT သည် အများအားဖြင့် modules ပုံစံဖြင့်ပေါ်လာသည်။ IHS ဒေတာသည် မော်ဂျူးများနှင့် ပြွန်တစ်ခုစီ၏ အချိုးအစားသည် 3:1 ဖြစ်သည်။ မော်ဂျူးသည် IGBT ချစ်ပ်နှင့် FWD (အဆက်မပြတ် diode ချစ်ပ်) မှ ပြုလုပ်ထားသော မော်ဂျူလာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်ပြီး စိတ်ကြိုက်ပတ်လမ်းတံတားမှတစ်ဆင့်၊ ပလပ်စတစ်ဘောင်များ၊ အလွှာများနှင့် အလွှာများမှတစ်ဆင့် FWD (ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေသော diode ချစ်ပ်) စသည်တို့
Mစျေးကွက်အခြေအနေ
တရုတ်ကုမ္ပဏီများသည် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် ကြီးထွားလာနေပြီး ၎င်းတို့သည် လက်ရှိတွင် သွင်းကုန်များအပေါ် မှီခိုနေရသည်။
2022 ခုနှစ်တွင် ကျွန်ုပ်၏နိုင်ငံ၏ IGBT လုပ်ငန်းသည် ထုတ်လုပ်မှု 41 သန်းရှိပြီး ဝယ်လိုအား 156 သန်းနှင့် ဖူလုံမှုနှုန်း 26.3% ရှိခဲ့သည်။ လက်ရှိတွင် ပြည်တွင်း IGBT စျေးကွက်ကို Yingfei Ling၊ Mitsubishi Motor နှင့် Fuji Electric ကဲ့သို့သော ပြည်ပထုတ်လုပ်သူများမှ အဓိက သိမ်းပိုက်ထားပြီး အချိုးအစား အများဆုံးမှာ Yingfei Ling ဖြစ်ပြီး 15.9% ဖြစ်သည်။
IGBT module စျေးကွက် CR3 သည် 56.91% သို့ရောက်ရှိပြီး ပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူ Star Director နှင့် CRRC ၏ 5.01% ခေတ်တွင် စုစုပေါင်းရှယ်ယာသည် 5.01% ဖြစ်သည်။ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ IGBT ခွဲခြမ်းစက်၏ ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူ သုံးဦး၏ စျေးကွက်ဝေစုသည် 53.24% အထိ ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူများသည် စျေးကွက်ဝေစု 3.5% ဖြင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ IGBT စက်ပစ္စည်း၏ ထိပ်တန်းဈေးကွက်ဆယ်ခုသို့ ဝင်ရောက်ခဲ့သည်။
တင်ချိန်- ဇူလိုင်-၀၈-၂၀၂၃
