ချစ်ပ်ပြားတွေကို ဘယ်လိုဖန်တီးထားလဲ။ လုပ်ငန်းစဉ် အဆင့်ဆင့် ဖော်ပြချက်

ချစ်ပ်၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်းမှ၊ ချစ်ပ်၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဦးတည်ချက်သည် မြန်နှုန်းမြင့်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှု၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသည်။ Chip ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအားဖြင့် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်း၊ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ကုန်ကျစရိတ်စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် အခြားချိတ်ဆက်မှုများပါဝင်ပြီး ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် အထူးရှုပ်ထွေးပါသည်။ အထူးသဖြင့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်ကို ကြည့်ကြပါစို့။

ပထမတစ်ခုကတော့ ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းဖြစ်ပြီး ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်အရ ထုတ်လုပ်လိုက်တဲ့ “pattern”၊

1, chip wafer ၏ကုန်ကြမ်း

wafer ၏ဖွဲ့စည်းမှုမှာဆီလီကွန်ဖြစ်ပြီး၊ ဆီလီကွန်သည် quartz သဲဖြင့်သန့်စင်သည်၊ wafer သည်ဆီလီကွန်ဒြပ်စင် (99.999%) ကိုသန့်စင်ထားပြီး၊ ထို့နောက်စစ်မှန်သောဆီလီကွန်ကိုဆီလီကွန်ကြိမ်လုံးအဖြစ်ပြုလုပ်ကာ၊ ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်ရန်အတွက် quartz semiconductor ပစ္စည်းဖြစ်လာသည်။ အချပ်သည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့် wafer ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်ဖြစ်သည်။ wafer သည် ပိုပါးလေ၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ် သက်သာလေ၊ သို့သော် လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များ မြင့်မားလေဖြစ်သည်။

2, Wafer အပေါ်ယံပိုင်း

wafer coating သည် ဓာတ်တိုးမှုနှင့် အပူချိန်ကို ခုခံနိုင်ပြီး၊ ပစ္စည်းသည် photoresistance တစ်မျိုးဖြစ်သည်။

3၊ wafer lithography ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ etching

လုပ်ငန်းစဉ်သည် ၎င်းတို့ကို ပျော့ပျောင်းစေသည့် UV အလင်းကို ထိခိုက်စေသော ဓာတုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည်။ အရိပ်အနေအထားကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်၏ပုံသဏ္ဍာန်ကို ရရှိနိုင်သည်။ Silicon wafers များသည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်တွင် ပျော်ဝင်စေရန် photoresist ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ ဤနေရာတွင် ဦးစွာ အရိပ်ကို လိမ်းနိုင်သောကြောင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၏ အစိတ်အပိုင်းကို ပျော်ဝင်စေပြီး၊ ထို့နောက်တွင် ဆားရည်ဖြင့် ဆေးကြောနိုင်သည်။ ဒီတော့ ကျန်တာတွေက အရိပ်နဲ့တူတယ်၊ ငါတို့လိုချင်တဲ့ပုံစံပဲ။ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့ကို လိုအပ်သော ဆီလီကာအလွှာကို ပေးသည်။

၄၊အညစ်အကြေးများထည့်ပါ။

သက်ဆိုင်ရာ P နှင့် N တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရန်အတွက် wafer အတွင်းသို့ အိုင်းယွန်းများကို စိုက်ထည့်ပါသည်။

လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန် wafer ပေါ်တွင် ထိတွေ့ထားသော ဧရိယာဖြင့် စတင်ပြီး ဓာတုအိုင်းယွန်းများ ရောနှောထည့်ထားသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် dopant zone မှ လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို ပြောင်းလဲစေပြီး ထရန်စစ္စတာတစ်ခုစီကို ဖွင့်ရန်၊ ပိတ်ရန် သို့မဟုတ် ဒေတာသယ်ဆောင်ရန် ခွင့်ပြုပေးမည်ဖြစ်သည်။ ရိုးရှင်းသောချစ်ပ်များသည် အလွှာတစ်ခုတည်းကိုသာ အသုံးပြုနိုင်သော်လည်း ရှုပ်ထွေးသောချစ်ပ်များသည် အလွှာများစွာရှိတတ်ပြီး လုပ်ငန်းစဉ်ကို အထပ်ထပ်အခါခါ ထပ်ခါတလဲလဲပြုလုပ်ကာ အမျိုးမျိုးသောအလွှာများကို ဖွင့်ထားသောဝင်းဒိုးဖြင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၎င်းသည် အလွှာ PCB ဘုတ်၏ ထုတ်လုပ်မှုနိယာမနှင့် ဆင်တူသည်။ ပိုမိုရှုပ်ထွေးသော ချစ်ပ်များသည် သုံးဖက်မြင်ဖွဲ့စည်းပုံပုံစံကို ထပ်ခါတလဲလဲ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် အထက်လုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့် အောင်မြင်နိုင်သည့် ဆီလီကာအလွှာများစွာ လိုအပ်နိုင်သည်။

5, Wafer စမ်းသပ်ခြင်း။

အထက်ဖော်ပြပါ လုပ်ငန်းစဉ်များစွာပြီးနောက်၊ wafer သည် အစေ့အဆန်များဖြစ်လာသည်။ စပါးတစ်ပင်ချင်းစီ၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို 'အပ်ဖြင့်တိုင်းတာခြင်း' ဖြင့် စစ်ဆေးခဲ့ပါသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ချစ်ပ်တစ်ခုစီ၏ အစေ့အဆန် အရေအတွက်သည် ကြီးမားပြီး ထုတ်လုပ်မှုအတွင်း ဖြစ်နိုင်သမျှ တူညီသော ချစ်ပ်အမျိုးအစား မော်ဒယ်များ၏ အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်မှု လိုအပ်သည့် ပင်စမ်းသပ်မုဒ်ကို စုစည်းရန် အလွန်ရှုပ်ထွေးသော လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ထုထည်မြင့်မားလေ၊ စျေးနှိုင်းယှဥ်လေလေ၊ ပင်မချစ်ပ်စက်များ အလွန်စျေးပေါရသည့် အကြောင်းရင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

6၊ Encapsulation

wafer ကိုထုတ်လုပ်ပြီးနောက်၊ pin ကိုပြင်ဆင်ပြီးလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီထုပ်ပိုးမှုပုံစံအမျိုးမျိုးကိုထုတ်လုပ်သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် တူညီသော chip core သည် မတူညီသော ထုပ်ပိုးမှုပုံစံများ ရှိနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဥပမာ- DIP၊ QFP၊ PLCC၊ QFN စသည်ဖြင့်၊ ၎င်းကို အသုံးပြုသူများ၏ အပလီကေးရှင်းအလေ့အထများ၊ အက်ပ်ပလီကေးရှင်းပတ်ဝန်းကျင်၊ စျေးကွက်ပုံစံနှင့် အခြားအရံအချက်များဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

7. စမ်းသပ်ခြင်းနှင့်ထုပ်ပိုးခြင်း။

အထက်ဖော်ပြပါ လုပ်ငန်းစဉ်ပြီးနောက်၊ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်း ပြီးမြောက်သည်၊ ဤအဆင့်သည် ချစ်ပ်ကို စမ်းသပ်ရန်၊ ချွတ်ယွင်းနေသော ထုတ်ကုန်များကို ဖယ်ရှားရန်နှင့် ထုပ်ပိုးမှု ပြုလုပ်ရန် ဖြစ်သည်။

အထက်ဖော်ပြပါ အကြောင်းအရာများသည် Create Core Detection မှ စီစဉ်သော ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ ဆက်စပ်အကြောင်းအရာဖြစ်သည်။ မင်းကို ကူညီမယ်လို့ ငါမျှော်လင့်တယ်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီတွင် ပရော်ဖက်ရှင်နယ်အင်ဂျင်နီယာများနှင့် စက်မှုထိပ်သီးအသင်း၊ စံချိန်စံညွှန်းမီဓာတ်ခွဲခန်း 3 ခုပါရှိပြီး ဓာတ်ခွဲခန်းဧရိယာသည် 1800 စတုရန်းမီတာကျော်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများစမ်းသပ်စစ်ဆေးခြင်း၊ IC အစစ်အမှန် သို့မဟုတ် လွဲမှားသတ်မှတ်ခြင်း၊ ထုတ်ကုန်ဒီဇိုင်းပစ္စည်းများရွေးချယ်ခြင်း၊ ပျက်ကွက်ခြင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း၊ လုပ်ဆောင်မှုစမ်းသပ်ခြင်းတို့ကို ဆောင်ရွက်နိုင်သည်။ စက်ရုံမှ ဝင်လာသော ပစ္စည်းများကို စစ်ဆေးခြင်းနှင့် တိပ်နှင့် အခြားစမ်းသပ်ခြင်းဆိုင်ရာ ပရောဂျက်များ။