မှားယွင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှု အပြုသဘောနှင့် အနုတ်ပတ်လမ်း မီးခိုးများ ချိတ်ဆက်ထားသည်၊ ဤအရှက်ကို မည်သို့ရှောင်ရှားနိုင်မည်နည်း။

ဟာ့ဒ်ဝဲအင်ဂျင်နီယာများ၏ ပရောဂျက်များစွာကို hole board တွင် ပြီးမြောက်အောင်ပြုလုပ်ထားသော်လည်း power supply ၏ positive နှင့် negative terminal များကို မတော်တဆ ချိတ်ဆက်မိခြင်းကြောင့် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများစွာ လောင်ကျွမ်းသွားကာ board တစ်ခုလုံးပင် ပျက်စီးသွားကာ ထပ်မံ welded ရမည်၊ ဖြေရှင်းရန် နည်းလမ်းကောင်းများ မသိနိုင်ပါ။

ပထမဦးစွာ၊ သတိလက်လွတ်ခြင်းသည် မလွှဲမရှောင်သာ၊ အပြုသဘောနှင့် အနှုတ်ဝါယာကြိုးနှစ်ခုဖြစ်သော အနီရောင်နှင့် အနက်ရောင်ကို တစ်ကြိမ်သာ ကြိုးတပ်ထားနိုင်သော်လည်း အပြုသဘောနှင့် အနှုတ်လက္ခဏာကို ခွဲခြားသိမြင်နိုင်သော်လည်း၊ ချိတ်ဆက်မှု ဆယ်ခု မှားသွားမည်မဟုတ်သော်လည်း 1,000? 10,000 ကကော? ယခုအချိန်တွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ ပေါ့လျော့မှုကြောင့် အချို့သော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ချစ်ပ်ပြားများ မီးလောင်ပျက်စီးသွားရခြင်း၏ အဓိကအကြောင်းအရင်းမှာ လက်ရှိ သံတမန် အစိတ်အပိုင်းများ အလွန်အကျွံ ကျိုးပျက်သွားခြင်းကြောင့်ဟု ဆိုရခက်သောကြောင့် ပြောင်းပြန်ချိတ်ဆက်မှုကို တားဆီးရန် အစီအမံများ ပြုလုပ်ရမည်ဖြစ်သည်။

အသုံးများသောနည်းလမ်းများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

01 diode စီးရီးအမျိုးအစား anti-ပြောင်းပြန်အကာအကွယ်ပတ်လမ်း

forward conduction နှင့် reverse cutoff တို့၏ diode ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများကို အပြည့်အဝအသုံးပြုရန် အပြုသဘောပါဝါအဝင်တွင် ရှေ့သို့ ဒိုင်အိုဒိတ်ကို ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ပုံမှန်အခြေအနေတွင်၊ ဒုတိယပြွန်သည် လည်ပတ်နေပြီး ဆားကစ်ဘုတ်သည် အလုပ်လုပ်သည်။

ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းပြန်လှန်သောအခါ၊ ဒိုင်အိုဒိတ်ကို ဖြတ်လိုက်သည်၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် အဝိုင်းပုံမပေါက်နိုင်တော့ဘဲ ဆားကစ်ဘုတ်သည် အလုပ်မလုပ်သောကြောင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုပြဿနာကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်နိုင်သည်။

02 Rectifier တံတားအမျိုးအစား ဆန့်ကျင်ပြောင်းပြန် အကာအကွယ်ပတ်လမ်း
ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ချိတ်ဆက်သည်ဖြစ်စေ ပြောင်းပြန်ဖြစ်စေ၊ ပါဝါအဝင်အထွက်ကို ဝင်ရိုးစွန်းမဟုတ်သော အဝင်တစ်ခုအဖြစ် ပြောင်းလဲရန် rectifier တံတားကို အသုံးပြုပါ၊ ဘုတ်သည် ပုံမှန်အတိုင်း အလုပ်လုပ်ပါသည်။

silicon diode တွင် 0.6~0.8V ခန့် ဖိအားကျဆင်းပါက germanium diode တွင် ဖိအားကျဆင်းမှု 0.2~0.4V ခန့်ရှိပြီး ဖိအားကျဆင်းမှု ကြီးမားပါက MOS tube ကို တုံ့ပြန်မှုဆန့်ကျင်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပြီး MOS tube ၏ ဖိအားကျဆင်းမှုသည် အလွန်သေးငယ်ပြီး၊ မီလီမီတာအနည်းငယ်အထိရှိပြီး ဖိအားကျဆင်းမှုမှာ နီးပါးဖြစ်သည်။

03 MOS tube ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်ကာကွယ်ရေးပတ်လမ်း

လုပ်ငန်းစဉ်တိုးတက်မှု၊ ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အခြားအချက်များကြောင့် MOS tube သည်၎င်း၏အတွင်းပိုင်းခုခံမှုသေးငယ်သည်၊ အများအပြားသည် milliohm အဆင့် သို့မဟုတ် ပို၍သေးငယ်သောကြောင့် circuit မှဗို့အားကျဆင်းခြင်း၊ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုသည်အထူးသေးငယ်သည်၊ သို့မဟုတ်ပင်နည်းပါးသောကြောင့် circuit ကိုကာကွယ်ရန် MOS tube ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည်ပိုမိုအကြံပြုထားသောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။

1) NMOS ကာကွယ်မှု

အောက်တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း- ပါဝါဖွင့်ချိန်တွင်၊ MOS tube ၏ parasitic diode ကိုဖွင့်ထားပြီး system သည် loop တစ်ခုဖြစ်လာသည်။ အရင်းအမြစ် S ၏အလားအလာသည် 0.6V ခန့်ရှိပြီး G ၏အလားအလာမှာ Vbat ဖြစ်သည်။ MOS tube ၏အဖွင့်ဗို့အားသည် အလွန်အမင်းဖြစ်သည်- Ugs = Vbat-Vs၊ ဂိတ်ပေါက်သည် မြင့်မားသည်၊ NMOS ၏ ds ကိုဖွင့်ထားပြီး၊ parasitic diode သည် short-circuited ဖြစ်ပြီး၊ စနစ်သည် NMOS ၏ ds access မှတဆင့် loop တစ်ခုဖွဲ့စည်းသည်။

ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းပြန်ဆိုပါက၊ NMOS ၏ ဗို့အားမှာ 0 ဖြစ်ပြီး NMOS ကို ဖြတ်တောက်ပြီး parasitic diode သည် ပြောင်းပြန်ဖြစ်ပြီး ဆားကစ်ပြတ်သွားသည့်အတွက် အကာအကွယ်ကို ဖန်တီးပေးပါသည်။

2) PMOS ကာကွယ်မှု

အောက်တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း- ပါဝါဖွင့်ချိန်တွင်၊ MOS tube ၏ parasitic diode ကိုဖွင့်ထားပြီး system သည် loop တစ်ခုဖြစ်လာသည်။ အရင်းအမြစ် S ၏ အလားအလာသည် Vbat-0.6V ခန့်ဖြစ်ပြီး G ၏ အလားအလာမှာ 0 ဖြစ်သည်။ MOS tube ၏ အဖွင့်ဗို့အားမှာ အလွန်လွန်ကဲသည်- Ugs = 0 – (Vbat-0.6)၊ ဂိတ်သည် အဆင့်နိမ့်အဖြစ် ပြုမူသည်၊ PMOS ၏ ds ပွင့်နေပြီး၊ ကပ်ပါးဒိုင်အိုဒသည် တိုတောင်းကာ ပတ်ချာလည်နေပြီး စနစ်သည် PM မှတဆင့် ဝင်ရောက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းပြန်လှန်လိုက်လျှင် NMOS ၏ ဗို့အားသည် 0 ထက် ကြီးသည်၊ PMOS ကိုဖြတ်သည်၊ ကပ်ပါးဒိုင်အိုဒသည် ပြောင်းပြန်ဖြစ်ပြီး ဆားကစ်ပြတ်သွားသဖြင့် အကာအကွယ်ကို ဖန်တီးပေးသည်။

မှတ်ချက်- NMOS tubes string ds သည် negative electrode သို့ PMOS tubes string ds သည် positive electrode သို့ဖြစ်ပြီး parasitic diode သည် မှန်ကန်သောချိတ်ဆက်ထားသော current direction သို့ ဦးတည်သည်။

MOS tube ၏ D နှင့် S ဝင်ပေါက်များ- N channel ပါသော MOS tube ကိုအသုံးပြုသောအခါတွင်၊ ယေဘုယျအားဖြင့် လက်ရှိသည် D တိုင်မှဝင်ရောက်ပြီး S တိုင်မှထွက်ကာ PMOS သည် S တိုင်မှဝင်ရောက်ပြီး D ထွက်သွားသည်၊ ဤဆားကစ်တွင်အသုံးပြုသည့်အခါ ဆန့်ကျင်ဘက်မှာအမှန်ဖြစ်သည်၊ MOS tube ၏ဗို့အားအခြေအနေသည် parasitic diode ၏အကူးအပြောင်းအားဖြင့်ပြည့်မီသည်။

G နှင့် S တိုင်များကြားတွင် သင့်လျော်သောဗို့အားတစ်ခု တည်ဆောက်ထားသရွေ့ MOS ပြွန်ကို အပြည့်အဝဖွင့်ထားမည်ဖြစ်သည်။ လုပ်ဆောင်ပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် D နှင့် S ကြားတွင် ခလုတ်တစ်ခုပိတ်သွားသကဲ့သို့ဖြစ်ပြီး လက်ရှိသည် D မှ S သို့မဟုတ် S မှ D သို့ တူညီသည်။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင်၊ G pole သည် ယေဘူယျအားဖြင့် resistor နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး MOS tube ပြိုကွဲခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်အတွက်၊ voltage regulator diode ကိုလည်း ထည့်နိုင်သည်။ Divider တစ်ခုနှင့်အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသော capacitor သည် soft-start effect ရှိသည်။ လျှပ်စီးကြောင်းစတင်စီးဆင်းချိန်တွင် capacitor အားအားသွင်းပြီး G pole ၏ဗို့အားသည်တဖြည်းဖြည်းတက်လာသည်။

PMOS အတွက်၊ NOMS နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Vgs သည် threshold voltage ထက် ကြီးရန်လိုအပ်ပါသည်။ အဖွင့်ဗို့အား 0 ရှိနိုင်သောကြောင့် DS အကြား ဖိအားကွာခြားချက်မှာ NMOS ထက် ပိုမိုသာလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

04 Fuse အကာအကွယ်

အသုံးများသော အီလက်ထရွန်နစ် ထုတ်ကုန်များစွာကို ဖျူးစ်ဖြင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုအပိုင်းကို ဖွင့်ပြီးနောက်တွင်၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင် ပြောင်းပြန်ဖြစ်ပြီး၊ ကြီးမားသောလျှပ်စီးကြောင်းကြောင့် ဆားကစ်ပြတ်သွားကာ၊ ထို့နောက် ဖျူးစ်သည် လွင့်သွားကာ ဆားကစ်ကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သော်လည်း ဤနည်းဖြင့် ပြုပြင်ခြင်းနှင့် အစားထိုးခြင်းသည် ပို၍ ဒုက္ခပေးပါသည်။